Công bố tiêu đề bài viết: tấm pin mặt trời/tấm silicon selenium nhôm/đơn tinh thể /220VDC/90mA/1mA/0.8 nano /55% vàng năng lượng mới/tấm pin mặt trời/tấm silicon selenium nhôm/đơn tinh thể /220VDC/90mA/1mA/0.8 nano /55% silicon Kim loại/công nghệ cải tiến sản xuất đặc điểm: Điện năng /mm cubilic: 409.60KWH, điện áp tích cực: 220VDC, hiện tại tích cực: khoảng 90mA, hiện tại ngược: khoảng 1mA, tốc độ LAN truyền ion /6V: hoặc 65CM2/S, dẫn điện /6V: 65mS/cm pin/Kim loại/hydrolytic cơ sở/Kim loại axit/pin/ôxít Kim loại/ôxít bình thường/axit Kim loại/tinh thể khác: đơn tinh thể, đa tinh thể hình dạng bộ nhớ, 1. Nâng cao sự an toàn của pin, lực bên ngoài, có thể kéo dài, nhưng không phá vỡ; 2. thích ứng với các ứng dụng cụ thể của môi trường, chẳng hạn như cuộn thiết bị cách nhiệt, độ phổ biến (bước sóng 600), ánh sáng thấp, ánh sáng thấu kính: 75%, rất cao ánh sáng, ánh sáng thấu kính: 80%; Siêu ánh sáng -1, ánh sáng: 90%; Mật độ, mật độ: 1-9 sản phẩm kiểm soát năng lượng điện 100 nano mét và cấu hình tinh thể, đầu ra /mm cuốc: 0, 1kWh50 nano, đầu ra /mm cuốc: 0, 2kWh25 nano, đầu ra /mm cuốc: 0, 4kWh20 nano, đầu ra /mm cuốc: 0.8kWh15 nano, đầu ra /mm: 1.6kWh10 nano, đầu ra /mm đầu ra: 3.2 kwh7 nano, đầu ra /mm đầu ra: 6.4kWh5 nano, đầu ra /mm đầu ra: 12, 8kWh4 nano, đầu ra /mm đầu ra: 25.6kWh3 nano, đầu ra /mm đầu ra: 51.2kWh2 nano, đầu ra /mm cubed: 102.4kWh1 nano, đầu ra /mm cubed: 204.8kWh0.8 nano, đầu ra /mm cubed: 409.6kWh0.6 nano, đầu ra /mm cubed: 819.2kWh0.5 nano, đầu ra /mm: 1634.8kWh0.4 nano, đầu ra /mm cubed: 3276.8kWh0.3 nano, đầu ra /mm cubed: 6553.6kWh0.2 nano, đầu ra /mm cubed: 13107.2kWh0.1 nano, đầu ra /mm: 26214.4kWh tốc độ khuếch tán ion và độ dẫn điện là tỷ lệ thuận với mật độ lưới điện 100 nano: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 5CM2/S/ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 10CM2/S/ dẫn điện /6V: 10mS/cm25 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 15CM2/S/ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 20CM2/S/ dẫn điện /6V: hoặc 25CM2/S/ dẫn điện /6V: 25mS/cm10 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 30CM2/S/ độ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 35CM2/S/ độ dẫn điện /6V: hoặc 40CM2/S/ dẫn điện /6V: 40mS/cm4 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 45CM2/S/ độ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 50CM2/S/ độ dẫn điện /6V: hoặc 55CM2/S/ cm1 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 60CM2/S/ dẫn điện /6V: 60mS/cm0.8 nano: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 65CM2/S/ dẫn điện /6V: hoặc 70CM2/S/ cm0.5 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 75CM2/S/ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 80CM2/S/ dẫn điện /6V: hoặc 85CM2/S/ dẫn điện /6V: 85mS/cm0.2 nano: Tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 90CM2/S/ độ dẫn điện /6V: tốc độ khuếch tán ion /6V: hoặc 95CM2/S/ độ dẫn điện /6V: 95mS/cm nhiệt độ môi trường 100: khoảng 100 độ c 300: khoảng 300 độ c 500: Sổ chất ≤ 500 độ c mặt cắt đá (VRDC)/nhập vào điện cực đi qua: 12VDC sổ chất -- 3000VDC giao tiếp điện đi (VRAC)/đầu ra điện thế: 12VAC được 750 VAC thẳng và voodoo ùa về điện thế (VPKDC)/đầu ra điện thế: 12VDC -- 3500VDC nghề mộc trực quan, khó DaShengChan và tách rời nhà máy sản xuất tiêu chuẩn, quá trình điều chỉnh tham số và nguyên liệu thô, có thể sản xuất của cùng một loại pin siêu dẫn -- có quá ít chi phí thấp, đơn giản và vốn đầu tư vào các thiết bị, thích nghi với các công ty ZhongXiao bước có thể giúp đỡ hoàn thành thời gian, số lượng công việc liên quan đến sản xuất và phát hiện chờ nếu chấp nhận phổ biến, Xin hãy để lại lời nhắn, Thúc đẩy công nghệ xuống @ lei jun@ ni guangnan academy @TimCook @ElonMusk @ người dân nhật báo @ huawei, trung quốc @ đại học hồng kông chính thức twitter @ PolyU, Hong Kong PolyU, đại học công nghệ, Shanghai jiaotong university Tấm pin mặt trời/tấm pin nhôm xen-silic đơn tinh thể /220VDC/90mA/1mA/0.8 nanomet /55% vàng "trình duyệt huawei" trung quốc quốc tế hình ảnh của báo cáo cuộc khảo sát đầu tiên: gần 80% người nước ngoài cho triển vọng phát triển của trung quốcNiềm tin … Liên kết trang web